RAM G.Skill Ripjaws V [F4-3200C16D-32GVK] 32 GB

#8143751

RAM G.Skill Ripjaws V [F4-3200C16D-32GVK] 32 GB

[DDR4, 16 GBx2 pcs, 3200 MHz, 16(CL)-18-18-38] details

4 150 000 UZS
Buy
Avail in 1 shop
Warranty: 99 mos.
  • Characteristics
  • Feedback 508
  • Instructions and files

Characteristics RAM G.Skill Ripjaws V [F4-3200C16D-32GVK] 32 GB

Factory specifications

Manufacture country 
Taiwan (Province Of China)

General parameters

Type
RAM
Model
G.Skill Ripjaws V
Manufacturer Code
[F4-3200C16D-32GVK]

Kit volume and contents

Memory Type
DDR4
Memory Module Type
UDIMM
Total Memory Capacity of the Entire Set
32 GB
Single Memory Module Capacity
16 GB
Number of Modules Included
2 pcs
Registered Memory
none
ECC Memory
none

Performance

Clock Frequency
3200 MHz
Intel XMP Profiles
3200 MHz (16-18-18-38)

Timings

CAS Latency (CL)
16
RAS to CAS Delay (tRCD)
18
Row Precharge Delay (tRP)
18
Activate to Precharge Delay (tRAS)
38

Design

Heatsink Present
yes
Backlit Board Elements
none
Height
42 mm
Low Profile
none

Additional Information

Power Supply Voltage
1.35 V

Description

Оперативная память G.Skill RIPJAWS V [F4-3200C16D-32GVK] представляет собой комплект из двух модулей емкостью 16 ГБ каждый, благодаря которым вы сможете вывести производительность вашего компьютера на новый уровень. Данная модель выполнена в форм-факторе DIMM и соответствует типу DDR4. Благодаря этому тактовая частота составляет 3200 МГц, что вкупе с пропускной способностью PC25600 и таймингами, значение которых соответствует 16-18-18-38, обеспечивает высокое быстродействие при выполнении любых операций.
Оперативная память G.Skill RIPJAWS V [F4-3200C16D-32GVK] выполнена в корпусе со стильным дизайном, сочетающим в себе необычные формы и строгий черный цвет. Помимо этого модель использует в своей основе первоклассные материалы и компоненты, что обеспечивает высокую надежность. Другой отличительной особенностью конструкции является наличие пассивного радиатора, предотвращающего перегрев при длительной работе. Высота планки составляет 42 мм. Напряжение питания оперативной памяти не превышает 1.35 В.